特許

J-GLOBAL ID：200903020653680291

相補型MOS半導体装置および製造方法

発明者： 伊藤 浩
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-348332
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174136
出願日： 1998年12月08日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】 N+ ゲートのイオン注入不純物チャネリングの防止およびP+ ゲートにおけるボロン(B)のゲート酸化膜突き抜けの防止を図る。【解決手段】 nMOSFETのゲート電極は、結晶粒径の小さいポリシリコン2から構成され、pMOSFETのゲート電極は、結晶粒径の大きいポリシリコン1から構成される。SiH4 を原料として600〜650°Cで成膜することで、0.1〜0.2um程度の前記結晶粒径の小さい2ポリシリコンを形成し、SiH4 を原料にして約550°Cでシリコン膜を成膜し、700°C以上の熱処理を施すことで約0.5um以上の前記結晶粒径の大きいポリシリコン1を形成する。

請求項（抜粋）：

nMOSFETとpMOSFETのゲート電極ポリシリコンの結晶粒径が異なることを特徴とする相補型MOS半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 27/08 321 D ,  H01L 21/28 301 A ,  H01L 29/46 A ,  H01L 29/78 301 C ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (32件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD28 ,  4M104DD43 ,  4M104DD63 ,  4M104EE03 ,  4M104EE06 ,  4M104EE17 ,  4M104GG10 ,  4M104HH04 ,  5F040DA06 ,  5F040DB03 ,  5F040DC01 ,  5F040EC05 ,  5F040EC07 ,  5F040EF02 ,  5F040EK01 ,  5F040FB02 ,  5F040FB04 ,  5F040FC03 ,  5F040FC11 ,  5F040FC20 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB17 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048DA19 ,  5F048DA25

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-139042   出願人：株式会社東芝