特許
J-GLOBAL ID：200903020658551430
窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-219899
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094151
出願日： 2000年07月19日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】【課題】 窒化物系化合物半導体層上にInGaN層、InGaNAs層またはInGaNP層を含む量子井戸発光層を有する窒化物系化合物半導体発光素子において、発光強度の初期劣化を改善して安定した寿命特性を得る。【解決手段】 n型GaN層を成長後、発光層を成長する工程113の前に、III族原料ガスを供給せずにSi源ガスを供給する工程109およびSi源ガスの供給を停止する工程を設ける。発光層のIn組成のばらつきが均一化され、組成の面内分布も均一化される。
請求項（抜粋）：
窒化物系化合物半導体層の上にIn<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<x<1)層、In<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N<SB>j</SB>As<SB>1-j</SB>(0<x<1、0<j<1)層またはIn<SB>x</SB>Ga<SB>1</SB><SB>-x</SB>N<SB>k</SB>P<SB>1-k</SB>(0<x<1、0<k<1)層を含む量子井戸発光層を有する窒化物系化合物半導体発光素子を製造する方法であって、該窒化物系化合物半導体層の成長後、該発光層を成長する前に、III族原料ガスを供給せずにSi源ガスを供給する期間を設けた窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01S 5/343
