太陽電池

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-153330
公開番号（公開出願番号）：特開平8-023109
出願日： 1994年07月05日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：

【要約】【目的】キャリアの再結合が少なく光電変換効率の高い太陽電池を提供する。【構成】 p型結晶シリコン基板5とn型層とが接合されており、接合面の反対側にある反対面にp型ダイヤモンド薄膜6を有し、ダイヤモンド薄膜6は、p型結晶シリコン基板5が有しているエネルギー禁制帯幅よりも広いエネルギー禁制帯幅を有している。さらに、ダイヤモンド薄膜6はp型結晶シリコン基板5よりも不純物濃度が高濃度である。【効果】ダイヤモンド薄膜6とp型シリコン基板5との界面に、従来よりも高い電位障壁を作成できる。また、ダイヤモンド薄膜6は、高濃度の不純物を含んでいても膜質劣化が少なくて、従来に比べて、p型シリコン基板5から多数キャリアを効率良く取り出すことができる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の結晶シリコン半導体層と第2導電型の結晶シリコン半導体層とが接合されている結晶シリコン太陽電池において、上記第1導電型の結晶シリコン半導体層の接合面の反対側にある上記第1導電型の結晶シリコン半導体層の反対面に形成された第1導電型のダイヤモンド薄膜を有し、上記ダイヤモンド薄膜は、上記第1導電型の結晶シリコン半導体層が有しているエネルギー禁制帯幅よりも広いエネルギー禁制帯幅を有していることを特徴とする太陽電池。

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