特許
J-GLOBAL ID：200903020665477076
半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-006966
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199449
出願日： 1996年01月19日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】 ダイシング工程に際して、半導体チップ上の最上の絶縁膜が剥離するのを抑えることにより、半導体チップの信頼性低下を防止する。【解決手段】 半導体ウエハ1から半導体チップ2を切り出すダイシング工程に先立って、半導体チップ2の最上の絶縁膜がダイシング工程時に剥離してしまうのを防止するために、半導体チップ2の外周近傍に、その外周に沿って延在する剥離止め溝9を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成された半導体チップを半導体基板から切り出して分割する工程に先立って、前記半導体チップの最上の絶縁膜が前記分割工程に際して剥離してしまうのを防止するために、予め前記半導体チップの外周近傍に剥離止め手段を形成する工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/78 L
, H01L 21/78 R
