特許
J-GLOBAL ID：200903020666563600
シリコン基板上に2つの層を形成させる方法及びシリコン基板上の接点領域の充填物を形成する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-163370
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102078
出願日： 1991年06月10日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 半導体処理において使用するための窒化チタン/ケイ化コバルトの二層を形成する新規な方法。【構成】 まずチタン、次にコバルトをスパッタ蒸着方法によりシリコン基板上に蒸着する。続いて、基板をアニールする。この工程の間、チタンは、まず、基板のシリコン面から自然酸化物を全て取り除く。アニール中、チタンは上方へ拡散し、コバルトは下方へ拡散する。コバルトはシリコン基板上に高品質のエピタキシャルケイ化コバルト層を形成する。窒化チタン層を形成するように、アニールは窒素又はアンモニアの周囲環境の中で実施される。この結果得られた構造を自己整合ケイ化物技術において、デバイスの電気的領域との接触のための接点充填材料として、また、続いて蒸着されるアルミニウム層から出るアルミニウム又は続いて成長する不純物添加選択ケイ素層から出るドーパントがシリコン基板の中へ拡散するのを阻止する拡散障壁として使用することができる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に2つの層を形成する方法において、前記シリコン基板上に耐火金属から成る第1の層を形状に合わせて蒸着する工程と;前記第1の層の上に準貴金属から成る第2の層を形状に合わせて蒸着する工程と;窒素及びアンモニアから成るグループの中から選択した窒素含有ガスの中で前記シリコン基板に対してアニールを実施して、前記シリコン基板の上に位置する準貴金属ケイ化物層と、前記準貴金属ケイ化物層の上に位置する耐火金属窒化物層とを形成する工程とから成る方法。
IPC (3件)：
H01L 21/285
, H01L 21/28 301
, H01L 21/90
