特許
J-GLOBAL ID：200903020668442826
セラミック多層回路基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-016661
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218653
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【構成】 表面すなわち部品搭載面12aには電子部品50を電気的に接続するための回路パターン12bが形成され、かつ、裏面15aには他の大きなプリント配線基板19に電気的に接続するための端子18が形成されたセラミック多層回路基板において、前記セラミック多層回路基板の側面に溝17が基板裏面から基板中間層まで形成され、部品搭載面12aの前記回路パターン12bと前記基板中間層とはスルーホール16を介して電気的に接続されているセラミック多層回路基板。【効果】 小型化を図ることができ、しかもコストを低く抑えることができる。さらには別の大きなプリント配線基板19にハンダ付けする際のハンダの端子18への周り込み具合を容易に確認することができる。
請求項（抜粋）：
表面には電子部品を電気的に接続するための回路パターンが形成され、かつ、裏面には他の回路基板に電気的に接続するための端子が形成されたセラミック多層回路基板において、前記セラミック多層回路基板の側面に溝が基板裏面から基板中間層まで形成され、基板表面の前記回路パターンと前記基板中間層とはスルーホールを介して電気的に接続されていることを特徴とするセラミック多層回路基板。
引用特許：
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