特許
J-GLOBAL ID：200903020669342760
半導体装置製造用気相反応装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青木 朗 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-241298
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082450
出願日： 1991年09月20日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の薄膜形成や薄膜のエッチングを行う気相反応装置に関し、均一でかつ汚染のない成膜或いは均一でかつ汚染のないエッチングが行えて、さらに繰返し(連続)しても再現性の良い気相反応装置を提供することである。【構成】 真空排気系につながった減圧反応室1と、該反応室内で半導体基板2を担持する支持台3と、該反応室内へプロセスガスを導入する導入管4とを備えてなる半導体装置製造用気相反応装置において、該支持台上方に、該半導体基板2を覆うように内管5を備え、該内管5内に前記プロセスガスの該導入管4が接続されているように構成する。
請求項（抜粋）：
真空排気系につながった減圧反応室と、該反応室内で半導体基板を担持する支持台と、該反応室内へプロセスガスを導入する導入管とを備えてなる半導体装置製造用気相反応装置において、前記支持台(3)上方に、該半導体基板(2)を覆うように内管(5)を備え、該内管(5)内に前記プロセスガスの該導入管(4)が接続されていることを特徴とする半導体装置製造用気相反応装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, H01L 21/285
, H01L 21/302
, H01L 21/318
