特許
J-GLOBAL ID:200903020669564410
導電性粒子及びその製造方法、導電性接着剤、半導体装置の実装体、半導体パッケージの実装体、並びに、電子部品の実装体
発明者:
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
岡田 和秀
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-213425
公開番号(公開出願番号):特開2001-043729
出願日: 1999年07月28日
公開日(公表日): 2001年02月16日
要約:
【要約】【課題】 優れた導電性を有することは勿論のこと、耐腐食性及び耐酸化性が良好であると共に、耐マイグレーション性にも優れた導電性粒子及びその製造方法、この導電性粒子を用いてなる導電性接着剤、この導電性接着剤を用いて構成される半導体装置の実装体、半導体パッケージの実装体、並びに、チップやコンデンサである電子部品の実装体を提供する。【解決手段】 本発明にかかる導電性粒子1は、イオン化傾向が低い第1導電性物質2の表面に、イオン化傾向の高い第2導電性物質3が部分的に配設されていることを特徴とする。そして、この際における導電性粒子1は、イオン化傾向の高い第2導電性物質3の表面はイオン化傾向が低い第1導電性物質2からなる被覆層で全面的に被覆されており、この被覆層には第2導電性物質3を部分的に露出させる開口部4が形成されている。
請求項(抜粋):
イオン化傾向が低い第1導電性物質の表面には、イオン化傾向の高い第2導電性物質が部分的に配設されていることを特徴とする導電性粒子。
IPC (6件):
H01B 1/00
, C09J 9/02
, C09J201/00
, H01B 1/22
, H01L 21/60 311
, H05K 3/32
FI (6件):
H01B 1/00 C
, C09J 9/02
, C09J201/00
, H01B 1/22 D
, H01L 21/60 311 S
, H05K 3/32 B
Fターム (38件):
4J040EC001
, 4J040ED001
, 4J040EE061
, 4J040EG001
, 4J040EH031
, 4J040HA066
, 4J040HA076
, 4J040JB10
, 4J040KA03
, 4J040KA07
, 4J040KA23
, 4J040KA32
, 4J040LA07
, 4J040NA20
, 5E319AA03
, 5E319AB05
, 5E319BB11
, 5E319BB12
, 5E319BB13
, 5E319CC61
, 5F044LL07
, 5F044RR18
, 5G301DA03
, 5G301DA04
, 5G301DA05
, 5G301DA06
, 5G301DA07
, 5G301DA08
, 5G301DA10
, 5G301DA11
, 5G301DA12
, 5G301DA13
, 5G301DA15
, 5G301DA42
, 5G301DA51
, 5G301DA53
, 5G301DA57
, 5G301DD03
前のページに戻る