特許

J-GLOBAL ID：200903020669845584

層状ハードマスク、誘電材料及びそのための方法

発明者： フオレスター,リン
出願人/特許権者： ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド
代理人 (5件)： 川口 義雄 ,  一入 章夫 ,  小野 誠 ,  大崎 勝真 ,  坪倉 道明
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-590413
公開番号（公開出願番号）：特表2004-538624
出願日： 2002年05月17日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

ダマシン構造は、配線間誘電体層に対して液相状態で塗布されるハードマスク層を有している。考えられるハードマスク層はSi-N結合を含んでおり、ハードマスク層のエッチング耐性がダマシン構造における配線間誘電体層および層間誘電体層のエッチング耐性よりも大きくなるようにハードマスク層の密度が高められる。特に好ましいハードマスク層はポリペルヒドロシラザンを含んでいる。

請求項（抜粋）：

Si-N結合を含み、配線間誘電体層に液相状態で塗布され、前記配線間誘電体層のエッチング耐性および層間誘電体層のエッチング耐性の両方よりも大きいエッチング耐性を有するように高密度化されるハードマスク層を備え、 前記ハードマスク層、前記配線間誘電体層、前記層間誘電体層、銅元素が、デュアルダマシン構造を形成するように構成されている、電子デバイス。

IPC (2件)：

H01L21/768 ,  H01L21/3065

FI (3件)：

H01L21/90 Q ,  H01L21/90 A ,  H01L21/302 105A

Fターム (26件)：

5F004AA04 ,  5F004DA26 ,  5F004EA03 ,  5F004FA01 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ82 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS04 ,  5F033SS13 ,  5F033SS22 ,  5F033XX24