特許
J-GLOBAL ID：200903020672051424
含浸型陰極の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-012679
公開番号（公開出願番号）：特開2000-215800
出願日： 1999年01月21日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 不要な電子や過剰な電子放射物質から生ずる粒子等の放出を抑制し、安定した電子放出特性を得ることができると共に長寿命化を図ることができる含浸型陰極の製造方法を提供する。【解決手段】 タングステン粉末よりなると共に、表面に電子放出領域11aを含む一体構造の多孔質焼結体11を作製したのち、多孔質焼結体11の電子放出領域11aとなる領域以外の領域にレーザビームLBを照射して、多孔質焼結体11を部分的に溶融させる。これにより、レーザビームLBが照射された領域では、焼結体の孔が潰れ、多孔質焼結体11の表面に非多孔質面11bが形成される。更に、多孔質焼結体11中に電子放射物質1aを含浸させて含浸型陰極1が完成する。この含浸型陰極1では、陰極動作時における不要な電子の放出、および電子放射物質1aの余剰粒子の蒸発が抑制され、安定した電子放出特性を得ることができる。また、陰極内全体に充分な量の電子放射物質を貯蔵することができるため、陰極の長寿命化を図ることできる。
請求項（抜粋）：
表面に電子放出領域およびその他の周辺領域を有する導電性の多孔質体に電子放射物質が含浸されてなる含浸型陰極の製造方法において、前記多孔質体の周辺領域に相当する部分にエネルギービームを照射してその表面を溶融させることにより、前記多孔質体の周辺領域の表面を非多孔質の面とする工程を含むことを特徴とする含浸型陰極の製造方法。
IPC (3件)：
H01J 9/04
, B23K 26/00
, H01J 1/28
H01J 9/04 J
, B23K 26/00 H
, H01J 1/28 A
4E068AH01
, 4E068DA09
, 5C027CC14
