特許
J-GLOBAL ID：200903020672961323
半導体チップの製造方法及び半導体ウエハの処理方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 内藤 浩樹
, 永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-227647
公開番号（公開出願番号）：特開2008-053417
出願日： 2006年08月24日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：
【課題】チッピングのない割れにくい半導体チップを製造することができる半導体チップの製造方法及び半導体ウエハの処理方法を提供する。【解決手段】レジスト膜4の半導体素子2同士の境界部にレーザ光13aを照射してレジスト膜4に半導体素子2同士を区分する境界溝5を形成し、その境界溝5に半導体ウエハ1の表面1bを露出させるレーザ加工工程と、レーザ加工工程において凹凸形状となった境界溝5の表面を酸素ガスのプラズマPoにより平滑化する境界溝表面平滑化工程と、境界溝5に露出した半導体ウエハ1の表面1bをフッ素系ガスのプラズマPfによりエッチングし、半導体ウエハ1を境界溝5に沿って個々の半導体チップに切り分けるプラズマエッチング工程とから成る。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
複数の半導体素子が形成された半導体ウエハの一方の面にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、レジスト膜の半導体素子同士の境界部にレーザ光を照射してレジスト膜に半導体素子同士を区分する境界溝を形成し、その境界溝に半導体ウエハの表面を露出させるレーザ加工工程と、境界溝に露出した半導体ウエハの表面をフッ素系ガスのプラズマによりエッチングし、半導体ウエハを境界溝に沿って個々の半導体チップに切り分けるプラズマエッチング工程とを含み、
前記レーザ加工工程と前記プラズマエッチング工程の間に、前記レーザ加工工程において凹凸形状となった境界溝の表面を酸素ガス若しくは酸素を主成分とする混合ガスのプラズマにより平滑化する境界溝表面平滑化工程を実行することを特徴とする半導体チップの製造方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/78 S
, H01L21/78 B
, H01L21/78 Q
出願人引用 (1件)
-
半導体ウェハの処理方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-426849
出願人：松下電器産業株式会社
審査官引用 (2件)
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