特許
J-GLOBAL ID：200903020677193715
チャネル構造を有する半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
玉蟲 久五郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-165422
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335552
出願日： 1992年06月01日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子が比較的小面積の単位素子となる区画を多数集積された構造を有し、かつ区画が共通の電極により並列接続される場合に、各区画の素子のオン電圧を均一化する、チャネル構造を有する半導体素子を提供することを目的とする。【構成】 半導体単結晶の{111}面に半導体素子の区画が多数配設され、区画内にゲート領域で囲まれた格子状のチャネルが形成される構成において、チャネルの長辺が結晶の<112>方向にほぼ垂直となるように、好ましくは90°±10°となるように配設することを特徴とするチャネル構造を有する半導体素子としての構成を有する。
請求項（抜粋）：
半導体単結晶の{111}面に一導電形の制御領域で囲まれるチャネル構造が形成される半導体素子において、チャネル構造の実質的な長辺方向が、{111}面上において結晶の<112>方向にほぼ垂直となされたことを特徴とするチャネル構造を有する半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 29/74
, H01L 21/74
, H01L 29/804
