特許

J-GLOBAL ID：200903020677988882

赤外線検出器

発明者： 米田 喜和
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-278687
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132558
出願日： 1992年10月16日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】 Si基板表面の不純物層および結晶欠陥による影響を受けない、GeSiとSiとのヘテロ接合型赤外線検出器を提供する。【構成】 P型Si基板2と、P型Si基板2上に形成され1018cm-3以下のP型不純物濃度を有するSiバッファ層21と、Siバッファ層21上に形成されるGeSi層1とからなる。【効果】 均一なバリアハイトと結晶性のよいGeSi層とを有する赤外線検出器が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、かつ、1018cm-3以下の、前記半導体基板の導電型と同じ導電型の不純物濃度を有するSiバッファ層と、前記Siバッファ層上に形成されるGeSi層とからなる赤外線検出器。