特許

J-GLOBAL ID：200903020680477236

高融点金属シリサイド膜の形成方法

発明者： 森 健壹
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-088039
公開番号（公開出願番号）：特開平8-283944
出願日： 1995年04月13日
公開日（公表日）： 1996年10月29日
要約：

【要約】【目的】 高融点金属シリサイド膜の表面モホロジーを改善するとともに、選択成膜の際の選択性を向上させることができる高融点金属シリサイド膜の形成方法を提供する。【構成】 シリコンウエハ4をヒーター5によって加熱した後、四塩化チタン(TiCl4)ガスとシラン(SiH4)ガスとを原料ガスとして、この原料ガスにフッ化水素(HF)ガスを添加し、CVD法でシリコンウエハ4上にチタンシリサイド膜(TiSi2)11を形成する。【効果】 HFによって、シリコンウエハ4表面の自然酸化膜が除去され、その後に形成されるチタンシリサイド膜の表面モホロジーが改善され、選択成膜の際の選択性が向上する。

請求項（抜粋）：

ハロゲン化高融点金属ガスおよびシランガスからなる原料ガスを用い、この原料ガスに水素とハロゲン元素とを構成元素として含む化合物ガスを添加し、CVD法により基板上に高融点金属シリサイド膜を形成することを特徴とする高融点金属シリサイド膜の形成方法。

IPC (5件)：

C23C 16/02 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

C23C 16/02 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 T ,  H01L 21/88 P