特許

J-GLOBAL ID：200903020681711372

微細構造描画用多層構造体と描画方法、及びそれを利用した光ディスクの原盤作製方法及びマスタリング方法

発明者： 金 朱鎬 ,  朴 仁植 ,  桑原 正史 ,  島 隆之 ,  富永 淳二
出願人/特許権者： 三星電子株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-143624
公開番号（公開出願番号）：特開2004-348830
出願日： 2003年05月21日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】レーザー光を用いて回折限界以下のピットパターンを形成できる多層構造体及び微細描画方法を提供することを課題とする。【解決手段】基板と、前記基板上に形成された誘電体層と、合金層又は金属酸化物層とを含む多層構造体であって、レーザー光が照射された部分の温度が所定の温度を超えると、その部分の体積が変化する多層構造体である。この多層構造体にレーザー光を照射し、ビームスポット内に温度分布を形成することによって、温度が所定の温度を超える領域だけに体積変化を起こさせる。これにより、多層構造体に微細描画をすることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に直接又は誘電体層を介して形成された合金及び誘電体層又は金属酸化物層とを含む多層構造体であって、 レーザー光が照射された部分の温度が所定の温度を超えると、前記レーザー光が照射された部分の体積が変化することを特徴とする多層構造体。

IPC (3件)：

G11B7/26 ,  B41M5/26 ,  G03F7/004

FI (3件)：

G11B7/26 501 ,  G03F7/004 521 ,  B41M5/26 X

Fターム (19件)：

2H025AA00 ,  2H025AB14 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BB00 ,  2H025BH00 ,  2H111EA02 ,  2H111EA22 ,  2H111EA24 ,  2H111EA25 ,  2H111FA12 ,  2H111FA21 ,  2H111FA25 ,  2H111FA27 ,  2H111FB01 ,  2H111FB20 ,  2H111FB23 ,  5D121BA05 ,  5D121BB14