特許

J-GLOBAL ID：200903020695174116

半導体ウエハの評価方法及びその装置

発明者： ミッシェル モラン ,  ジャン フリード ,  広瀬 全孝 ,  中井 康秀 ,  橋爪 英久 ,  藤平 千代
出願人/特許権者： 株式会社レオ技研 ,  ル・エール・リクイツド・ソシエテ・アノニム・プール・ル・エチユド・エ・ル・エクスプルワテシヨン・デ・プロセデ・ジエオルジエ・クロード
代理人 (1件)： 本庄 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-017649
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151538
出願日： 1992年02月03日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 半導体ウエハを評価する半導体ウエハの評価方法及びその装置。【構成】 励起光発生器4にて発生させた励起光を照射条件設定器9により照射条件を変化させて半導体ウエハ2に照射し,該ウエハ2にマイクロ波発生器5から放射されたマイクロ波の反射波のレベル変化を検波器6にて検出し,推定回路10′により上記照射条件の変化と上記マイクロ波のレベル変化に対応する少数キャリアのライフタイムの変化とに基づいて該ウエハ2のドーパントレベルを推定し,照射条件検出回路11によりこのドーパントレベルに応じて検出された照射条件の下に,測定回路12にて少数キャリアのライフタイムを測定せしめる。上記構成により,半導体ウエハ2のドーパントレベルを推定し得ると共に,ショックレーリードホール統計に基づいたライフタイムを得て半導体ウエハ2の適切な評価を行うことができる。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハに照射条件を変化させて励起光を照射すると共に,上記半導体ウエハに放射されたマイクロ波の透過波又は反射波を検出し,上記照射条件の変化と上記マイクロ波のレベル変化に対応する少数キャリアのライフタイムの変化とに基づいて上記半導体ウエハのドーパントレベルを推定する半導体ウエハのドーパントレベル推定方法。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-157571