特許
J-GLOBAL ID：200903020699859962
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-155726
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347487
出願日： 2002年05月29日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：
【要約】【課題】 半導体ペレットを金錫合金を用いて中空樹脂パッケージにマウントした半導体装置は動作を繰返すと半導体ペレットが裏面電極から剥離することがあった。【解決手段】 半導体基板11a側から、チタン層12、ニッケル層13、金又は銀の層14を順次形成した裏面電極11bを有する半導体ぺレット11を金錫合金6を用いで放熱体1にマウントする。
請求項（抜粋）：
半導体ペレットの裏面電極を低融点合金を介して放熱体に固定した半導体装置において、上記半導体ペレットの裏面電極は、半導体基板側から、チタン層、ニッケル層、金又は銀の層を順次積層してなり、低融点合金として金-錫合金を用いたことを特徴とする半導体装置。
Fターム (6件)：
5F036AA01
, 5F036BA23
, 5F036BB01
, 5F036BB21
, 5F036BC06
, 5F036BD01
