特許
J-GLOBAL ID：200903020701138259
高解離圧単結晶の製造方法及び製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上代 哲司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-163274
公開番号（公開出願番号）：特開平6-001693
出願日： 1992年06月23日
公開日（公表日）： 1994年01月11日
要約：
【要約】【目的】 高解離圧成分元素ガスを密閉した気密容器内で結晶成長を行う際に、結晶成長後気密容器を分割するとき容器の損傷や結晶材料の汚染等の発生を防止する。【構成】 結晶成長後冷却中に、気密容器のシール剤の融点以上の温度で気密容器を分割する。またこの分割操作が容易にできるように、引上軸に突起を設け又は上部容器に昇降操作棒を設ける。【効果】 気密容器の損傷がなくなるため容器を繰返し使用出来る。また、成長した結晶が汚染され難く、高品質の結晶が安定に得られる。
請求項（抜粋）：
分割可能に構成し、その接合部を液体シール剤によって密封する構造とした気密容器内に高解離圧成分元素ガスを密閉し、その容器内で高解離圧単結晶の成長を行う単結晶の成長方法において、単結晶成長後冷却中に液体シール材が固化する温度よりも高い温度で気密容器の接合部を分割し、気密容器を開放することを特徴とする高解離圧単結晶の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 27/02
, C30B 15/10
, C30B 29/40 501
, C30B 29/48
