特許
J-GLOBAL ID：200903020703691192
第二高調波発生装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-175580
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046296
出願日： 1994年07月27日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【目的】 第二高調波発生装置の小型化、高効率化、低コスト化を図る。【構成】 AlGaAs系半導体レーザ15の光出射端面上に、屈折率が周期的に変化する周期構造を有する、化合物半導体からなる位相整合層16を形成した。【効果】 従来の半導体技術を用いてAlGaAs系半導体レーザ15の光出射端面に位相整合層16を設けることで、小型で、高効率、高出力な、低コストの第二高調波発生装置を提供することができる。
請求項（抜粋）：
半導体レーザと、その半導体レーザの光出射端面上に形成され、屈折率が周期的に変化する周期構造を有する、化合物半導体からなる位相整合層とを備えたことを特徴とする第二高調波発生装置。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, H01L 21/268
, H01L 21/428
, H01S 3/109
