特許
J-GLOBAL ID：200903020704739024
光電変換素子の電流電圧特性の測定方法及び測定装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
大塚 康徳
, 高柳 司郎
, 大塚 康弘
, 木村 秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-173736
公開番号（公開出願番号）：特開2005-011958
出願日： 2003年06月18日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：
【課題】測定対象である積層型光電変換素子の面積にかかわらず、低コストの測定装置を用いて正確に積層型光電変換素子の出力特性を測定する。【解決手段】異なる分光分布を有する2以上の光を合成した合成光を照射して、光電変換素子の電流電圧特性を測定するときに、合成光の分光分布を所定の時間内で変動させ、複数の半導体接合部の各々において、合成光の照射によって出力される短絡電流の比率を推定し(S050)、短絡電流の比率が所定の値となるのに応じて(S060)、合成光の照射による光電変換素子の出力電圧及び出力電流を測定し(S080)、出力電圧及び出力電流の少なくとも一方を変化させるようにし(S090)、短絡電流の比率の推定、出力電圧及び出力電流の測定、出力電圧又は出力電流の変化を複数回繰り返し、得られた測定値に基づいて、光電変換素子の電流電圧特性を求める(S140)。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
複数の半導体接合部が積み重ねられた光電変換素子に、異なる分光分布を有する2以上の光を合成した合成光を照射して、前記光電変換素子の電流電圧特性を測定する方法であって、
前記合成光の分光分布を所定の時間内で変動させる工程と、
前記複数の半導体接合部の各々において、前記合成光の照射によって出力される短絡電流の比率を推定する工程と、
前記短絡電流の比率が所定の値となるのに応じて、前記合成光の照射による前記光電変換素子の出力電圧及び出力電流を測定する工程と、
前記出力電圧及び前記出力電流の少なくとも一方を変化させる工程と、
前記推定する工程、前記測定する工程、及び前記変化させる工程を複数回繰り返す工程と、
前記繰り返す工程で得られた測定値に基づいて、前記光電変換素子の電流電圧特性を求める工程と、を備えることを特徴とする光電変換素子の電流電圧特性の測定方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (1件)：
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