特許

J-GLOBAL ID：200903020711682364

半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 山田 美保 ,  高橋 康仁 ,  久保 実 ,  佐々井 洋一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-184789
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045900
出願日： 1993年07月27日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】 低温で形成した良質な絶縁膜を備えた半導体レーザを提供する。【構成】 n型GaAs基板1上にn型Zn1-xMgxSySe1-yクラッド層2、n型ZnS0.07Se0.93ガイド層3、アンドープCd0.1Zn0.9Se活性層4、p型ZnS0.07Se0.93ガイド層5、p型Zn1-xMgxSySe1-yクラッド層6、p型ZnSeキャップ層7を順次形成する。溝13を形成する。溝13およびp型ZnSeキャップ層7上にLPD膜8を形成する。リッジ部14上のLPD膜を取り除く。LPD膜を取り除いたリッジ部14上にAu電極9を形成する。LPD膜8およびAu電極9上にCr電極10を形成する。Cr電極10上にAu電極11を形成する。n型GaAs基板1側にIn電極12を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に少なくともII-VI族化合物半導体からなるクラッド層と前記クラッド層に挟まれた活性層からなるDH構造を有する半導体レーザにおいて、発光領域の両側に形成された溝部に前記クラッド層の屈折率よりも小さな屈折率の絶縁材料が埋め込まれ、前記発光領域の絶縁体層が取り除かれて電極が形成されていることを特徴とする半導体レーザ。