特許
J-GLOBAL ID：200903020715940651
物理量センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
西川 惠清
, 森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-111219
公開番号（公開出願番号）：特開2006-292478
出願日： 2005年04月07日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：
【課題】従来に比べて高感度化が可能な物理量センサを提供する。 【解決手段】第1のシリコン基板を用いて形成され一表面側に絶縁膜2を有するセンサ用構造体1と、センサ用構造体1の上記一表面側に配置されそれぞれカーボンナノチューブCNTからなる2個のゲージ抵抗R1,R3および2個の基準抵抗R2,R4と、第2のシリコン基板を用いて形成されセンサ用構造体1の上記一表面側に固着されたカバー7とを備える。カーボンナノチューブCNTは、センサ用構造体1の上記一表面上に突設した対となる支持台部3,3間に架設されている。カバー7には、ゲージ抵抗R1,R3を構成するカーボンナノチューブCNTの中間部に当接しセンサ用構造体1に圧力が働いていない状態でカーボンナノチューブCNTの中間部を押圧して折曲させるバイアス部7bを備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
検出対象の物理量をゲージ抵抗のひずみによる抵抗値の変化として検出する物理量センサであって、ゲージ抵抗が、センサ用構造体の一表面側において突設した対となる支持台部間に架設されたカーボンナノチューブからなり、センサ用構造体の前記一表面側に、センサ用構造体に力が働いていない状態でゲージ抵抗を構成するカーボンナノチューブの中間部を押圧し当該カーボンナノチューブの中間部を折曲させるバイアス部を備えることを特徴とする物理量センサ。
IPC (3件)：
G01B 7/16
, G01L 9/00
, G01P 15/12
G01B7/18 G
, G01L9/00 303C
, G01P15/12 D
2F055AA40
, 2F055BB20
, 2F055CC02
, 2F055DD05
, 2F055EE11
, 2F055FF11
, 2F055GG12
, 2F063AA25
, 2F063CA09
, 2F063DA02
, 2F063EC03
, 2F063EC09
