特許

J-GLOBAL ID：200903020717415210

真空処理装置

発明者： 高山 英之
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-272099
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100793
出願日： 1998年09月25日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】真空処理装置における真空処理中の圧力変動の低減と低圧下での圧力制御の精度向上させ、プロセス性能を向上させることを目的とする。【解決手段】真空処理装置の排気経路に初期圧力設定用と微調整用の2つの圧力制御バルブもしくは2つの圧力制御機能を持たせることで課題解決を図る。

請求項（抜粋）：

真空処理室内に電極および被処理物を設置し、該被処理物をプラズマ処理する真空処理装置において、同一排気経路に2つの圧力制御バルブを設け、前段の圧力制御バルブで処理開始圧力を設定し、後段の圧力制御バルブで処理中の細かな圧力制御を行うことを特徴とした真空処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 A

Fターム (36件)：

4K057DA20 ,  4K057DB20 ,  4K057DD01 ,  4K057DG08 ,  4K057DG13 ,  4K057DM02 ,  4K057DM06 ,  4K057DM38 ,  4K057DN10 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB28 ,  5F004BC03 ,  5F004CA02 ,  5F004DB00 ,  5F004EB08 ,  5F045AA08 ,  5F045AA13 ,  5F045DP01 ,  5F045DP02 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB09 ,  5F045EF05 ,  5F045EG01 ,  5F045EG02 ,  5F045EG03 ,  5F045EG05 ,  5F045EG06 ,  5F045EH05 ,  5F045EH13 ,  5F045EH14 ,  5F045GB04 ,  5F045GB06