特許

J-GLOBAL ID：200903020722150240

距離情報入力装置

発明者： 吉田 武一心
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-177387
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368205
出願日： 2001年06月12日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】本発明は、小型・多機能かつ高精度、低消費電力である距離情報入力装置を提供する。【解決手段】本発明によると、受光素子は、N型半導体基板上に形成されたP型不純物領域と、光電変換部と、電荷蓄積部と、転送スイッチ部と、増幅器回路部とを前記P不純物領域上に有し、前記P型不純物領域の内、前記光電変換部および前記転送スイッチ部ならびに前記電荷蓄積部に対応する領域に設けられた第1のP型不純物領域のP型不純物濃度は、前記増幅器回路部に対応する領域に設けられた第2のP型不純物領域のP型不純物濃度よりも低濃度であると共に、前記P型不純物領域の表面の内、前記転送スイッチ部の前記電荷蓄積部に近い側の一部と前記電荷蓄積部とに対応する領域に、前記第1のP型不純物領域のP型不純物濃度と同等もしくはそれより高いN型不純物濃度を有するN型不純物領域を設けることを特徴とする距離情報入力装置が提供される。

請求項（抜粋）：

物体に輝度変調した光を照射し、前記輝度変調された光を照射された前記物体からの反射光を受光し、光電変換を行うと共に、前記輝度変調光源と同期して感度変調可能な受光素子を備えた距離情報入力装置において、前記受光素子は、N型半導体基板上に形成されたP型不純物領域と、光を電荷に変換する光電変換部と、前記光電変換部によって変換された電荷を蓄積記憶する電荷蓄積部と、前記光電変換部と前記電荷蓄積部との間に設けられ、前記光電変換部によって生成された電荷を前記輝度変調と同期して前記電荷蓄積部へ転送する転送スイッチ部と、前記電荷蓄積部に蓄積記憶された電荷を電圧に変換して出力するための増幅器回路部と、を前記P型不純物領域上に有し、前記P型不純物領域の内、前記光電変換部および前記転送スイッチ部ならびに前記電荷蓄積部に対応する領域に設けられた第1のP型不純物領域のP型不純物濃度は、前記増幅器回路部に対応する領域に設けられた第2のP型不純物領域のP型不純物濃度よりも低濃度であると共に、前記P型不純物領域の表面の内、前記転送スイッチ部の前記電荷蓄積部に近い側の一部と前記電荷蓄積部とに対応する領域に、前記第1のP型不純物領域のP型不純物濃度と同等もしくはそれより高いN型不純物濃度を有するN型不純物領域を設けることを特徴とする距離情報入力装置。

IPC (3件)：

H01L 27/148 ,  G01B 11/00 ,  G01C 3/06

FI (3件)：

G01B 11/00 B ,  G01C 3/06 Z ,  H01L 27/14 B

Fターム (39件)：

2F065AA02 ,  2F065AA06 ,  2F065AA53 ,  2F065DD01 ,  2F065DD02 ,  2F065DD06 ,  2F065FF12 ,  2F065FF13 ,  2F065FF32 ,  2F065HH04 ,  2F065JJ01 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ15 ,  2F065JJ26 ,  2F065MM16 ,  2F065QQ25 ,  2F065QQ26 ,  2F065QQ27 ,  2F065QQ47 ,  2F112AD01 ,  2F112BA04 ,  2F112BA05 ,  2F112BA10 ,  2F112CA12 ,  2F112DA28 ,  2F112FA12 ,  4M118AA02 ,  4M118AA04 ,  4M118AA05 ,  4M118AB03 ,  4M118BA11 ,  4M118CA07 ,  4M118DA02 ,  4M118DD04 ,  4M118FA03 ,  4M118FA08 ,  4M118FA34 ,  4M118FA35 ,  4M118FA39