特許
J-GLOBAL ID：200903020722823121
半導体装置用拡散抵抗
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-000871
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204408
出願日： 1993年01月07日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】半導体装置内に不純物拡散により作り込む拡散抵抗の抵抗値精度をその抵抗層の不純物濃度を低めた場合にも向上させる。【構成】n形の半導体領域1の表面からp形の抵抗層2を抵抗用パターンで拡散し、この抵抗層2の表面部にp形の抵抗表面層3をそれとほぼ同じパターンかつ高不純物濃度でごく浅く拡散し、半導体領域1と抵抗層2と抵抗表面層3の表面を絶縁膜11で覆った上で端子12を抵抗表面層3の両端部分から導出して拡散抵抗20とする。絶縁膜11内に可動イオンによる蓄積電荷が抵抗層2内のキャリア分布に与える影響を抵抗表面層3で遮断することにより、拡散抵抗20の抵抗値のばらつきを従来より1桁程度低い±0.1 %以下に減少させる。
請求項（抜粋）：
一方の導電形の半導体領域の表面から抵抗用のパターンで拡散された他方の導電形の抵抗層と、抵抗層の表面部にそれとほぼ同じパターンかつ高不純物濃度で浅く拡散された他方の導電形の抵抗表面層と、抵抗層および抵抗表面層を含む半導体領域の表面を覆う絶縁膜とを備え、抵抗表面層の両端部から端子をそれぞれ導出してなることを特徴とする半導体装置用拡散抵抗。
IPC (2件)：
引用特許：
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