特許

J-GLOBAL ID：200903020729687061

スイッチング素子の消弧回路

発明者： 飯田 政和
出願人/特許権者： ダイキン工業株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-325414
公開番号（公開出願番号）：特開2001-145332
出願日： 1999年11月16日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 スイッチング素子の短絡回路にダイオード等の定電圧素子が接続された場合でも、スイッチング素子を確実に消弧できる消弧回路を提供する。【解決手段】 このスイッチング素子の消弧回路は、サイリスタ2の両端を短絡する短絡回路9が並列接続され、この短絡回路9がダイオード8を含んでいる。サイリスタ2にインダクタンス素子3が直列に接続されている。この消弧回路は、サイリスタ2を消弧すべく、スイッチ10をオンして短絡回路9を短絡させたときに、ダイオード8に順方向電圧Vfが発生すると同時に、インダクタンス素子3が逆起電圧Vlを発生する。この逆起電圧Vlがダイオード8が発生する順方向電圧Vfを相殺して、サイリスタ2に加わる順電圧をえん層電圧Vse未満にする。

請求項（抜粋）：

印加電圧が所定値未満になると消弧するスイッチング素子(2,12)に、このスイッチング素子(2,12)の両端を短絡する短絡回路(9,16,17,21,22)が並列接続され、この短絡回路が定電圧素子(8,16,17)を含んでいる消弧回路において、上記短絡回路を短絡させたときに、上記定電圧素子に発生する電圧に対する逆起電圧を発生して、上記スイッチング素子への印加電圧を所定値未満にするリアクタンス素子(2,23)を備えたことを特徴とするスイッチング素子の消弧回路。

IPC (2件)：

H02M 1/08 ,  H02M 7/155

FI (2件)：

H02M 1/08 Y ,  H02M 7/155 Z

Fターム (9件)：

5H006AA02 ,  5H006CA06 ,  5H006CB04 ,  5H740BA01 ,  5H740BA03 ,  5H740BB07 ,  5H740BC02 ,  5H740JB06 ,  5H740JB10