特許
J-GLOBAL ID：200903020730662676
発光ダイオード用エピタキシャルウエハ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小橋 信淳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-184750
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005917
出願日： 1992年06月19日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】 各層の厚みが高精度で制御され、エネルギー禁制帯幅が広く、発光効率及びピーク波長制御性に優れた発光ダイオードを得る。【構成】 Siを除くTe,Sn,S,Se等のドーパント及び混晶成分としてのAlを含むGa融液を850°C以下の温度でGaAs基板結晶1に接触させ、GaAs基板結晶1上にn型Ga1-x Alx Asエピタキシャル成長層2を設ける。Ga融液を成長面から除去した後、0.5原子%以上のSiを含む融液を850°C以下の温度でn型Ga1-x Alx Asエピタキシャル成長層2に接触させ、p型GaAsエピタキシャル成長層3を成長させる。【効果】 発光再結合領域がp-n接合に近いp型領域に限られ、このp型層からの発光をエネルギー禁制帯幅の広いn型層を反射面として利用することができるため、発光効率が大きく向上する。また、n型層及びp型層をそれぞれ別個の融液を使用して850°C以下の比較的低温で成長させているため、ドーピングレベルが高い自由度で調整され、高精度で各層の厚みが制御される。
請求項（抜粋）：
GaAs基板結晶と、該GaAs基板結晶の上に晶出され、Siを除くTe,Zn,Sn,S,Se等のドーパントをドナー不純物としてドープさせたn型Ga1-x Alx Asエピタキシャル成長層と、該n型Ga1-x Alx Asエピタキシャル成長層の上に重畳され、Siをヘビードープしたp型GaAsエピタキシャル成長層とを備え、前記n型Ga1-x Alx Asエピタキシャル成長層と前記p型GaAsエピタキシャル成長層との間にp-n接合が形成されていることを特徴とする発光ダイオード用エピタキシャルウエハ。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/02
, H01L 21/208
