特許

J-GLOBAL ID：200903020735304298

面発光型半導体レーザ及びその作製方法

発明者： 岩井 則広 ,  向原 智一
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-175889
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012962
出願日： 1998年06月23日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 高Al組成半導体層の酸化制御性が良好で、レーザ特性に優れ、かつ素子同士のレーザ特性のバラツキがない構成を有する面発光型半導体レーザ及びその製作方法を提供する。【解決手段】 本面発光型半導体レーザ30は、高Al組成半導体層と、低Al組成半導体層とを交互に積層した多層膜を反射鏡とするエアポスト状の半導体積層構造を発光部に有し、エアポスト側面で反射鏡の高Al組成半導体層の少なくともAl元素が酸化されて酸化物(Ala Ob )に転化し、これにより電流狭窄されている。反射鏡を構成する多層膜の高Al組成半導体層12aの少なくとも一層及びその高Al組成半導体層と対をなす低Al組成半導体層12bの双方の中央部が、混晶化され、かつ高Al組成半導体層の混晶領域の外側領域では少なくともAl元素が酸化され、酸化物(Ala Ob )に転化している。

請求項（抜粋）：

高Al組成半導体層と、低Al組成半導体層とを交互に積層した多層膜を反射鏡とするエアポスト状の半導体積層構造を発光部に有し、エアポスト側面で反射鏡の高Al組成半導体層の少なくともAl元素が酸化されて酸化物(Ala Ob )に転化し、これにより電流狭窄されている面発光型半導体レーザ素子において、反射鏡を構成する多層膜の高Al組成半導体層の少なくとも一層及びその高Al組成半導体層と対をなす低Al組成半導体層の双方の中央部が、混晶化され、かつ高Al組成半導体層の混晶領域の外側領域では少なくともAl元素が酸化され、酸化物(Ala Ob )に転化していることを特徴とする面発光型半導体レーザ素子。

Fターム (3件)：

5F073AA07 ,  5F073AB17 ,  5F073DA27