特許

J-GLOBAL ID：200903020740938181

半導体ウェハのケミカルメカニカルポリシング時にポリシング液を供給するためのシステム

発明者： サミット パンデイ ,  フェン フェン ジャミン
出願人/特許権者： インフィニオン テクノロジーズ ノース アメリカ コーポレイション ,  インターナショナル ビジネス マシーンズ コーポレーション
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-148694
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353678
出願日： 2000年05月19日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】 ウェハ表面に接触するスラリの量及び温度のばらつきを排除する。【解決手段】 プラテン41上の研磨布42とウェハWとを周期的かつ相対的に移動させることによってCMPを行うためのシステムが提供され、ウェハはリング59の開口59aに保持されており、リングは開口を包囲した摩耗面59bを有している。スラリは、摩耗面に設けられた複数のチャネル61において、研磨布近傍のウェハ縁部WPへ供給される。リングは、スピンドル56の底部に固定されたキャリヤ58の下側58cに固定されている。キャリヤは、スラリSを加熱・冷却するための熱交換器65を有している。キャリヤの導管に接続されたスピンドルの通路はチャネルにスラリを供給し、熱交換器に温度調節流体を提供し、圧力流体をウェハの内側に供給する。

請求項（抜粋）：

表面縁部を有する半導体ウェハの表面のケミカルメカニカルポリシングのための方法において、ウェハ表面を研磨面と摩擦接触させたままほぼ平坦な研磨面とウェハとを互いに対して周期的かつ相対的に移動させ、相対的かつ周期的な移動の間に、ウェハの表面縁部に対して定置に維持された円周に沿って間隔を置かれた複数の箇所において、研磨面近傍のウェハの表面縁部にケミカルメカニカルポリシング液を供給することを特徴とする、半導体ウェハの表面のケミカルメカニカルポリシングのための方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 621 ,  B24B 37/00

FI (6件)：

H01L 21/304 622 E ,  H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/304 621 D ,  B24B 37/00 J ,  B24B 37/00 K