特許

J-GLOBAL ID：200903020741233971

半導体装置及びその製造方法

発明者： 藤井 泰三
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-110755
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306918
出願日： 1999年04月19日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】 電流増幅率及びエミッタコンタクト抵抗のばらつきが小さい半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板100上のエピタキシャル層102の所定個所にベース引出し電極111、第1のシリコン酸化膜108及びシリコン窒化膜109を積層して開口部を構成する。その開口部からイオン注入を行って真性ベース領域113を形成し、その後堆積したシリコン酸化膜をエッチバックして絶縁スペーサ114を形成することにより構成されたエミッタ開口窓にエミッタ引出し電極118を形成する。その後の熱処理により、エミッタ引出し電極118内の不純物を拡散させてエミッタ領域120を形成し、ベース引出し電極111内の不純物を拡散させて外部ベース領域119を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にバイポーラトランジスタを有する半導体装置において、前記バイポーラトランジスタは、第1導電型不純物を含むコレクタ領域と、前記コレクタ領域に囲まれた第2導電型不純物を含む真性ベース領域と、前記コレクタ領域の中にあって、前記真性ベース領域と少なくとも一部が接触した第2導電型不純物を含む外部ベース領域と、前記外部ベース領域の上方に位置し、前記外部ベース領域と少なくとも一部が接触した高濃度の第2導電型不純物を含むベース引き出し電極と、前記真性ベース電極に囲まれた第1導電型不純物を含むエミッタ領域と、前記エミッタ領域の上方に位置し、前記エミッタ領域と少なくとも一部が接触しており、前記ベース引き出し電極とは側方は第1の絶縁物からなるテーパ状の絶縁スペーサにより分離され、下方は第2の絶縁物により分離された高濃度の第1導電型不純物を含むエミッタ引き出し電極とを有し、前記第2の絶縁物の前記絶縁スペーサに接する部位はテーパ状になっていないことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73

Fターム (20件)：

5F003AP05 ,  5F003AZ01 ,  5F003BA13 ,  5F003BA25 ,  5F003BA27 ,  5F003BA97 ,  5F003BB06 ,  5F003BB08 ,  5F003BC08 ,  5F003BE08 ,  5F003BF90 ,  5F003BG10 ,  5F003BP00 ,  5F003BP11 ,  5F003BP21 ,  5F003BP23 ,  5F003BP31 ,  5F003BP41 ,  5F003BS05 ,  5F003BS06