特許

J-GLOBAL ID：200903020748923060

シリコンウエハのエッチング方法

発明者： 上村賢一 ,  佐近 正 ,  垂永伸二
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
代理人 (1件)： 本多 小平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-088731
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291238
出願日： 1992年04月09日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 ウエハ表面のミクロな形状を向上し、ウエハの最エッジ部分のだんもなく、さらにはエッチむらもないエッチング方法を提供する。【構成】 重量%比で弗酸/硝酸の比率が0.4〜1.0,(弗酸+硝酸)/酢酸の比率が、0.8〜3.0,(弗酸+硝酢)/酢酸の比率が0.8〜2.9の組成を有する溶液に、シリコンが0.05〜0.08モル/リットル溶解したエッチング溶液を用い、該エッチングの温度を20〜60°Cの温度に調整し、ウエハを浸漬して、エッチングすることを特徴とするシリコンウエハのエッチング方法。

請求項（抜粋）：

重量%比でHF/HNO3 =0.4〜1.0(HF+HNO3 )/CH3 COOH=0.8〜3.0(HF+HNO3 )/H2 O=0.8〜2.9の組成を有する溶液に、シリコンを0.05〜0.80mol/l溶解したエッチング溶液を用い、該エッチング液の温度を20〜60°Cの温度に調整し、ウエハを浸漬して、エッチングすることを特徴とするシリコンウエハのエッチング方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-001537
  
• 特開平3-261359
  
• 特開平4-289749