特許

J-GLOBAL ID：200903020750865719

強誘電体トランジスタ

発明者： 阿部 良夫 ,  斉藤 克明 ,  小園 裕三
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-250196
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104447
出願日： 1992年09月18日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】誘電体を分極反転させずに、データの読みだしが可能であり、かつ複数の情報が記憶できる強誘電体を用いた不揮発性メモリ提供すること。【構成】半導体活性層上に第1の絶縁膜を形成し、該第1の絶縁膜上に第1のゲート電極を設け、さらに該第1のゲート電極上に第2の絶縁膜を形成し、該第2の絶縁膜上に第2のゲート電極を複数個備えた電界効果型トランジスタであって、前記第1の絶縁膜を分極-電界特性にヒステリシスを有しない常誘電体で構成し、また、前記第2の絶縁膜を分極-電界特性にヒステリシスを有する強誘電体で構成する。【効果】重み付け線形演算等の演算が可能で、読みだし回数に制限の無い強誘電体性不揮発性メモリを実現できる。

請求項（抜粋）：

半導体活性層上に第1の絶縁膜を形成し、該第1の絶縁膜上に第1のゲート電極を設け、さらに該第1のゲート電極上に第2の絶縁膜を形成し、該第2の絶縁膜上に第2のゲート電極を複数個備えた電界効果型トランジスタであって、前記第2の絶縁膜を分極-電界特性にヒステリシスを有する強誘電体で構成したことを特徴とする強誘電体トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭57-120372
  
• 特開平2-090571
  
• 特開昭52-042381