特許
J-GLOBAL ID：200903020751332307

表面実装型発光ダイオード及びその製造方法

発明者：
小池 晃

小池 晃 について


出願人/特許権者：
株式会社シチズン電子

株式会社シチズン電子 について


代理人 (1件)： 浅川 哲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-123060
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319711
出願日： 2001年04月20日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：
【要約】【課題】 基板に形成された一対の電極に発光素子を接続する際の位置決め及び基板への実装が容易であると共に、発光素子で発した光の波長変換効率を高める表面実装型の発光ダイオードを提供すること。【解決手段】 ガラエポ基板22にカソード電極23及びアノード電極24を形成し、前記カソード電極23上に発光素子25の下面電極を接合する一方、発光素子25の上面電極を前記アノード電極24に接続してなる表面実装型発光ダイオードにおいて、前記カソード電極23上に挿入孔32を凹設し、この挿入孔32に発光素子25の下面電極が接合される凹部36を備えた導電性の反射カップ体31を嵌め入れて前記カソード電極23と発光素子25の下面電極との導通を図る一方、発光素子25の上面電極と前記アノード電極24とを接合し、前記凹部36内に波長変換用材料が混入された第1の樹脂41を充填した。
請求項（抜粋）：
ガラエポ基板の両端部から中央部にかけて延びる第1電極及び第2電極とを備え、前記第1電極上に発光素子の下面電極を接合する一方、発光素子の上面電極を前記第2電極に接続したのち、ガラエポ基板の上部を樹脂で封止してなる表面実装型発光ダイオードにおいて、前記第1電極上に挿入孔を凹設し、この挿入孔に発光素子の下面電極が接合される凹部を備えた導電性の反射カップ体を嵌め入れて前記第1電極と発光素子の下面電極との導通を図る一方、発光素子の上面電極と前記第2電極とを接合し、前記凹部内に波長変換用材料が混入された第1の樹脂を充填し、さらに反射カップ体を含むガラエポ基板の上方を前記第1の樹脂とは性質の異なる第2の樹脂で封止したことを特徴とする表面実装型発光ダイオード。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 23/12
FI (3件)：
H01L 33/00 N ,  H01L 23/12 Z ,  H01L 23/12 W
Fターム (17件)：
5F041AA11 ,  5F041AA37 ,  5F041CA12 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA19 ,  5F041DA36 ,  5F041DA44 ,  5F041DA57 ,  5F041DA58 ,  5F041DA74 ,  5F041DA77 ,  5F041DA78 ,  5F041DA92 ,  5F041EE12 ,  5F041EE17 ,  5F041EE23
引用特許：
審査官引用 (3件)

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