特許
J-GLOBAL ID:200903020758575019

半導体集積回路装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-025413
公開番号(公開出願番号):特開平9-326688
出願日: 1997年02月07日
公開日(公表日): 1997年12月16日
要約:
【要約】【課題】 駆動電源及び接地電源以外の電源を追加することなく、しきい値制御を行うことを可能にする。【解決手段】 制御信号に基づいて作動し、作動時には半導体基板から電荷を汲み出すことにより基板バイアスを深くし、非作動時には出力が高インピーダンスとなる基板電位発生回路10と、制御信号に基づいて作動し、基板電位発生回路の非作動時には導通状態となって半導体基板の電位を電源電位とし、基板電位発生回路の作動時には非導通状態となるスイッチ回路30と、を備えていることを特徴とする。
請求項(抜粋):
制御信号に基づいて作動し、作動時には半導体基板から電荷を汲み出すことにより基板バイアスを深くし、非作動時には出力が高インピーダンスとなる基板電位発生回路と、前記制御信号に基づいて作動し、前記基板電位発生回路の非作動時には導通状態となって前記半導体基板の電位を電源電位とし、前記基板電位発生回路の作動時には非導通状態となるスイッチ回路と、を備えていることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (4件):
H03K 19/094 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H03K 19/00
FI (3件):
H03K 19/094 D ,  H03K 19/00 A ,  H01L 27/08 321 L

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