特許
J-GLOBAL ID:200903020759212270
薄膜無機発光ダイオードの製造
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小田島 平吉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-028059
公開番号(公開出願番号):特開2002-313568
出願日: 2002年02月05日
公開日(公表日): 2002年10月25日
要約:
【要約】【課題】 直流の影響下で発光可能な薄膜無機発光ダイオードデバイスの製造のための容易で且つ経済的な方法を提供すること。【解決手段】 ルミネセント中心でドーピングされたZnSのおよびCuxSの分散液を水溶液からの沈澱により一緒にまたは別個に製造する。そのような分散液を伝導性電極間にコーテイングすると、薄膜無機発光ダイオードデバイスが得られる。
請求項(抜粋):
(1)ルミネセント中心でドーピングされたZnS(n-タイプ半導体)およびCuxS(p-タイプ半導体)を一緒に含んでなるナノ粒子分散液を、各イオンの適当な水溶液からの沈澱により製造するか、或いは(1′)ルミネセント中心でドーピングされたZnS(n-タイプ半導体)の第一の別個のナノ粒子分散液およびCuxS(p-タイプ半導体)の第二の別個のナノ粒子分散液を、両者とも各イオンの適当な水溶液からの沈澱により製造し、(2)(1)に従い製造された分散液または(1′)に従い製造された両分散液を洗浄して、沈澱しなかったイオンを除去し、(3)第一の伝導性電極上に、段階(1)および(2)から生ずる分散液もしくは段階(1′)および(2)から生ずる分散液の混合物を1つの同じ層内で、または段階(1′)および(2)から生ずる別個の分散液を2つの別個の層内でコーテイングし、(4)段階(3)から生ずる1つもしくは複数の該コーテイング層の上部に第二の伝導性電極を適用する段階を含んでなり、但し該第一および第二の電極の少なくとも1つが透明である、薄膜無機発光ダイオードデバイスの製造方法。
IPC (3件):
H05B 33/10
, H05B 33/14
, H05B 33/20
FI (3件):
H05B 33/10
, H05B 33/14 Z
, H05B 33/20
Fターム (8件):
3K007AB06
, 3K007AB11
, 3K007AB18
, 3K007DA01
, 3K007DB02
, 3K007DC01
, 3K007DC02
, 3K007FA00
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