特許

J-GLOBAL ID：200903020766600642

電源変動に高速で追従するRAM

発明者： 久保埜 昌次
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-258869
公開番号（公開出願番号）：特開平5-101649
出願日： 1991年10月07日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】DRAMタイプのメモリセルのプレートレベルを高速に電源電圧の変動に追従させ、電源電圧変動時の待ち時間を縮める。【構成】DRAMタイプのメモリセルを構成するメモリセルキャパシタの基準レベルとなるプレートに対して、該プレートと電源Vccとの間に寄生容量を付加する。【効果】プレートレベルが電源変動に対して高速に追従するため、データリテンション時の電源変動に対して、時間的制約を少なくでき、多くのシステムに容易に適用できることとなる。

請求項（抜粋）：

DRAMタイプのメモリセルを構成するメモリセルキャパシタの基準レベルとなるプレートに対して、該プレートと電源との間に寄生容量を付加することを特徴とするRAM。