特許

J-GLOBAL ID：200903020767107184

半導体装置及びその製造方法

発明者： 野村 武男
出願人/特許権者： 岩手東芝エレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-040015
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232382
出願日： 1996年02月27日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】 TABテープを利用したILB工程及びMLB工程時のボンディング位置ずれ不良を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体素子の接続電極をTABテープのインナーリードに接合する第1の工程と、前記TABテープのアウターリードをフレームインナーリードに接合する第2の工程とを有する半導体装置の製造方法において、前記TABテープのリードをアルミ系素材で構成しておき、前記第1及び第2の工程時の接合は、前記半導体素子に対して垂直方向の超音波と荷重を与えて行う。

請求項（抜粋）：

表面に接続電極が形成された半導体素子と、TABテープのリードを介して前記接続電極に接合されたフレームインナーリードとを備えた半導体装置において、前記TABテープのリードをアルミ系素材で構成し、前記接続電極と前記TABテープのリードとの接合と、該TABテープのリードと前記フレームインナーリードとの接合は、前記半導体素子に対して垂直方向の超音波と荷重を与えて行ったものであることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/607 ,  H01L 23/50

FI (4件)：

H01L 21/60 311 W ,  H01L 21/60 311 R ,  H01L 21/607 B ,  H01L 23/50 S