特許
J-GLOBAL ID：200903020767198228
半導体を用いた熱電装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-300717
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135846
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 小型、かつ消費電力の少ない冷却装置を提供する。【解決手段】 低温端と高温端とを有する第1の熱電半導体部材の低温端に第1の部材が接続されている。第1の部材から第1の熱電半導体部材中に、電子及び正孔のいずれか一方の第1のキャリアが注入される時に、例えばペルチェ効果等による吸熱が生ずる。発光領域が半導体材料により形成され、第1の熱電半導体部材の高温端まで輸送された第1のキャリアを捕集し、電子と正孔との再結合による発光を生ずる。
請求項（抜粋）：
低温端と高温端とを有する第1の熱電半導体部材と、前記第1の熱電半導体部材の低温端に接続された金属もしくは半導体からなる第1の部材であって、該第1の部材から前記第1の熱電半導体部材中に、電子及び正孔のいずれか一方の第1のキャリアが注入される時に吸熱が生ずる材料により形成された第1の部材と、半導体材料により形成され、前記第1の熱電半導体部材の高温端まで輸送された第1のキャリアを捕集し、電子と正孔との再結合による発光を生ずる発光領域とを有する熱電装置。
IPC (5件)：
H01L 35/32
, H01L 31/10
, H01L 33/00
, H01L 35/14
, H02N 11/00
H01L 35/32 A
, H01L 33/00 Z
, H01L 35/14
, H02N 11/00 A
, H01L 31/10 Z
