特許
J-GLOBAL ID:200903020775399720
半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
佐藤 香
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-341438
公開番号(公開出願番号):特開2000-163544
出願日: 1998年12月01日
公開日(公表日): 2000年06月16日
要約:
【要約】【課題】コイルをチップに一体化しても優れた通信能力を発揮させる。【解決手段】コイル33と、このコイル33を介して通信を行う処理回路22と、この処理回路22が主表面に形成されたチップ31とを具える半導体装置において、チップ31の表側に処理回路22が形成されると共に、その裏側に磁性層33dを伴ったコイル33が形成される。これにより、クロストークの防止に加えて、コイルの結合能力および同調能力の強化も達成される。
請求項(抜粋):
コイルと、このコイルを介して通信を行う処理回路と、この処理回路が主表面に形成されたチップとを具える半導体装置において、前記チップの裏面上に形成された磁性層と、この磁性層に重ねて設けられ前記コイルを形成する導体層とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
FI (2件):
G06K 19/00 H
, G06K 19/00 K
Fターム (4件):
5B035AA04
, 5B035BB09
, 5B035CA01
, 5B035CA23
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