特許

J-GLOBAL ID：200903020785502996

多孔質半導体層の作製方法及び色素増感型太陽電池

発明者： 今井 寿子 ,  榎本 和弘
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-050034
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249279
出願日： 2002年02月26日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：

【要約】【課題】 相異なる色素を多孔質半導体層の表面に効率よく共吸着させることを課題とする。【解決手段】 表面に相異なる2種以上の色素が共吸着した多孔質半導体層の製造方法であって、多孔質半導体層の表面の一部に特定の溶媒に可溶な皮膜を設ける工程、ついで溶解させた第一の色素を該多孔質半導体層の表面に吸着させる工程、ついで該溶媒により皮膜上の色素を皮膜と共に取り除く工程、更には第二の色素を該多孔質半導体層の表面に吸着させる工程を少なくとも含む多孔質半導体層の作製方法により上記課題を解決する。

請求項（抜粋）：

表面に相異なる2種以上の色素が共吸着した多孔質半導体層の製造方法であって、多孔質半導体層の表面の一部に特定の溶媒に可溶な皮膜を設ける工程、ついで溶解させた第一の色素を該多孔質半導体層の表面に吸着させる工程、ついで該溶媒により皮膜上の色素を皮膜と共に取り除く工程、更には第二の色素を該多孔質半導体層の表面に吸着させる工程を少なくとも含む多孔質半導体層の作製方法。

IPC (2件)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

Fターム (9件)：

5F051AA14 ,  5F051BA18 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032AS19 ,  5H032BB05 ,  5H032EE16