特許

J-GLOBAL ID：200903020792066441

半導体メモリ

発明者： 渡辺 一央
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-270057
公開番号（公開出願番号）：特開平6-124600
出願日： 1992年10月08日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：

【要約】【目的】半導体メモリの特にテストモードの選択回路において、チップ面積消滅のため、テストモード選択回路の消滅をはかること。【構成】アドレスの入力Aiを受け、その入力を受けテストモードを選択する信号2を出力するテストモード選択回路4を設け、データ入力D0とテストモード選択信号2とをデコードするデコード回路3を備え、デコード回路3はステトモード選択信号2とデータ入力D0をと受け、第1、第2のテストモード選択信号を出力する。

請求項（抜粋）：

アドレス信号から高電位を入力してテストモード選択信号を出力するテストモード選択回路と、メモリセルにデータの書き込みを行う場合に前記データを入力するデータ入力バッファとを備え、複数のテストモードを有する半導体メモリにおいて、前記テストモード選択信号と前記データ入力バッファの出力信号とをデコードするデコード回路を備えることを特徴とする半導体メモリ。