無電解メッキ装置および導電膜の形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-134183
公開番号（公開出願番号）：特開2001-316834
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】メッキ液の経時変化を抑制し、均一に精度良く無電解メッキを行う無電解メッキ装置および導電膜の形成方法を提供する。【解決手段】無電解メッキ装置は、当該装置を構成する上部装置20および下部装置10からなる。下部装置10は、半導体ウェーハWを保持し回転可能なスピンテーブル11と、ヒータ11aと、ウェーハW上に、純水、前処理液、無電解メッキ液をそれぞれ供給する配管15、16、17から構成されている。上部装置20は、メッキカップ21と、ヒータ21aと、撹拌機22と、メッキカップ21内に、純水、前処理液、無電解メッキ液、不活性ガスをそれぞれ供給する配管24、25、26、27と、シール部材23とで構成されている。

請求項（抜粋）：

無電解メッキ処理により、導電膜を成膜する無電解メッキ装置であって、被メッキ対象物の被メッキ面がメッキ槽の内面に望むようにして設置され、少なくとも被メッキ面を外部雰囲気から隔てる前記メッキ槽と、前記被メッキ対象物の少なくとも前記被メッキ面にメッキ液を供給するメッキ液供給手段と、前記メッキ槽内に少なくとも不活性ガスあるいはアンモニアガスを含むガスを供給するガス供給手段とを有する無電解メッキ装置。

IPC (4件)：

C23C 18/31 , C23C 18/50 , H01L 21/288 , H01L 21/768

FI (4件)：

C23C 18/31 E , C23C 18/50 , H01L 21/288 Z , H01L 21/90 A

Fターム (78件)：

4K022AA05 , 4K022BA06 , 4K022BA12 , 4K022BA14 , 4K022BA16 , 4K022BA24 , 4K022BA32 , 4K022BA35 , 4K022CA06 , 4K022CA07 , 4K022DB02 , 4K022DB03 , 4K022DB05 , 4K022DB06 , 4K022DB17 , 4K022DB18 , 4K022EA02 , 4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB07 , 4M104BB18 , 4M104CC01 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD22 , 4M104DD28 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD65 , 4M104DD72 , 4M104DD75 , 4M104EE12 , 4M104EE15 , 4M104EE17 , 4M104FF17 , 4M104FF22 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 4M104GG15 , 4M104GG16 , 4M104HH14 , 5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH15 , 5F033HH19 , 5F033JJ04 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ15 , 5F033JJ19 , 5F033KK01 , 5F033KK04 , 5F033KK11 , 5F033KK19 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ13 , 5F033QQ23 , 5F033QQ25 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS11 , 5F033XX03 , 5F033XX04

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