特許

J-GLOBAL ID：200903020793714463

銅層の2段階原子層沈着

発明者： 千崎 佳秀
出願人/特許権者： アヴィザ テクノロジー インコーポレイテッド
代理人 (5件)： 熊倉 禎男 ,  小川 信夫 ,  箱田 篤 ,  浅井 賢治 ,  平山 孝二
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-545398
公開番号（公開出願番号）：特表2006-503185
出願日： 2003年10月17日
公開日（公表日）： 2006年01月26日
要約：

銅薄膜を低温下で形成する方法を提供する。この方法は、フッ素を含まない銅前駆体からなる酸化銅層を基板上に形成し、この酸化銅層を還元して銅層を基板上に形成する、2つの工程を含む。酸化銅の形成は、フッ素原子を含まない銅前駆体と酸素含有ガスとを、低温下で用いる原子層沈着によって行われる。銅アルコキシド、銅β-ジケトネート、及び銅ジアルキルアミドが、銅前駆体として好ましい。形成された酸化銅層の還元は、低温下で水素含有ガスを用いて行われる。

請求項（抜粋）：

銅層を基板上に形成する方法であって、 フッ素を含まない銅前駆体から酸化銅層を前記基板上に形成し、 前記酸化銅層を還元して銅層を前記基板上に形成する、方法。

IPC (4件)：

C23C 16/06 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285

FI (4件)：

C23C16/06 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 C

Fターム (10件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA01 ,  4K030BA42 ,  4K030DA08 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104HH08