特許
J-GLOBAL ID:200903020797255269

セラミック回路基板および半導体モジュール

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-178635
公開番号(公開出願番号):特開2004-022973
出願日: 2002年06月19日
公開日(公表日): 2004年01月22日
要約:
【課題】基体の反りを抑制し、信頼性を上げ、熱特性を向上することができるセラミック回路基板および半導体モジュールを提供すること。【解決手段】2枚の窒化珪素板2の間に金属板5を挟んで接合して成る基体6の両主面に金属回路板3・4を互いに対向させて取着して成り、両主面の金属回路板3・4にそれぞれ互いに対向しない位置に半導体素子7・8が搭載されるとともに、金属板5に半導体素子7・8の搭載位置と対向するように配置された冷却液の流路10を形成したセラミック回路基板および半導体モジュール1である。放熱特性が良好であり、金属回路板3・4上に搭載される半導体素子7・8等の電子部品を長期にわたり安定して作動させることができる信頼性の高いセラミック回路基板および半導体モジュール1を提供することができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
2枚の窒化珪素板の間に金属板を挟んで接合して成る基体の両主面に金属回路板を互いに対向させて取着して成り、前記両主面の前記金属回路板にそれぞれ互いに対向しない位置に半導体素子が搭載されるとともに、前記金属板に前記半導体素子の搭載位置と対向するように配置された冷却液の流路を形成したことを特徴とするセラミック回路基板。
IPC (7件):
H01L23/36 ,  H01L23/473 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K1/02 ,  H05K7/20
FI (6件):
H01L23/36 C ,  H05K1/02 F ,  H05K7/20 N ,  H05K7/20 P ,  H01L25/08 Z ,  H01L23/46 Z
Fターム (14件):
5E322AA05 ,  5E322FA01 ,  5E338AA02 ,  5E338AA18 ,  5E338BB71 ,  5E338BB75 ,  5E338CC01 ,  5E338EE02 ,  5F036BA10 ,  5F036BB08 ,  5F036BB41 ,  5F036BC06 ,  5F036BD01 ,  5F036BD14
引用特許:
審査官引用 (3件)

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