特許
J-GLOBAL ID：200903020801021766
微細加工されたSOI容量表面を有する絶対圧容量センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-066261
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007162
出願日： 1994年04月04日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：
【要約】【目的】 可変形単結晶ダイアフラムを有する容量トランスジューサの形成方法および構造を提供する。【構成】 犠牲層31および単結晶シリコン層20aを有するSOIウェーハの半導体基板30内に第1のウェル領域を形成し、シリコンエピタキシャル層を堆積させて可撓単結晶膜を形成し、エッチングにより可撓ダイアフラム20を画定する。絶縁共形的(conformal)支持層を堆積させて犠牲層を封止し、ダイアフラムのアクセス開口からエッチャントを挿入して犠牲層を除去しダイアフラム空洞を画定する。ダイアフラムの対向部および基板の第1ウェルへ導電イオンを拡散して感知キャパシタ100の固定および可変形電極を画定する。次にアクセス開口にプラグを堆積させて封止する。周囲圧とダイアフラム封止圧間の変動に応答したダイアフラムの偏位により第1ウェル領域とダイアフラムの導電領域間の容量が対応して変化する。
請求項（抜粋）：
容量センサであって、第1の電極として機能する第1の導電領域が内部に画定されている半導体材料の基盤ベースと、前記第1の電極に一般的に隣接するように前記ベース上の所定厚の犠牲層上に成長させた単結晶シリコン層からなる可撓性ダイアフラムであって、第2の電極として前記第1の電極と協同して前記ダイアフラムの相対変位に応じて変動する容量を有するキャパシタをその間に形成する可撓性導電領域を含む前記可撓性ダイアフラムと、前記ベースおよび前記ダイアフラムに連結され、前記犠牲層を除去した後で前記ダイアフラムの周辺部を前記所定厚だけ前記ベースよりも上で支持してその間に封止されたダイアフラム空洞を形成する絶縁支持体と、前記ダイアフラムを貫通して前記ダイアフラム空洞につながる孔と、前記孔内で前記ダイアフラム空洞を封止して前記ダイアフラム空洞内の圧力により前記ダイアフラム上に所定の加圧応力が誘起されるように連結されたプラグを具備し、周囲圧力の変化により前記ダイアフラムが偏位して前記第1および第2の電極間の容量が対応して変化することを特徴とする容量センサ。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, G01L 1/14
, G01L 9/12
