特許
J-GLOBAL ID:200903020805419055

熱電素子および熱電素子を用いた電子機器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 林 敬之助 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-167242
公開番号(公開出願番号):特開平8-032127
出願日: 1994年07月19日
公開日(公表日): 1996年02月02日
要約:
【要約】【目的】 n型半導体およびp型半導体の厚さが発電能力と小型化を考慮して決定された熱電素子、および熱電素子を用いた電子機器を提供する。【構成】 シリコンの第一の絶縁体101を吸熱側、シリコンの第二の絶縁体102を放熱側とすると、吸熱側の温度を放熱側と比較して高温となるような温度差を与えた場合、第一の絶縁体101から第二の絶縁体102の方向に熱が伝達される。その際にn型半導体103の中では電子が放熱側の絶縁体102の方向に移動する。p型半導体104の中では正孔が放熱側の絶縁体102の方向に移動する。n型半導体103とp型半導体104は接続部105を介して電気的に直列に接続されているため熱の伝達が電流に変換され、両端の出力端子部106より起電力を得ることができる。
請求項(抜粋):
複数のn型半導体(103)と複数のp型半導体(104)を交互に電気的に直列になるように接続する複数の接続部(105)と出力端子部(106)とを有し、接続部(105)を1つおきに固定するシリコンで構成した第一の絶縁体(101)と、第一の絶縁体で接続していない1つおきの接続部(105)を固定するシリコンで構成した第二の絶縁体(102)とを有し、第一の絶縁体(101)と第二の絶縁体(102)との間に固定される複数のn型半導体(103)および複数のp型半導体(104)のそれぞれの厚さが0.2mm〜3mmであることを特徴とする熱電素子。
IPC (3件):
H01L 35/32 ,  G04C 10/00 ,  G04G 1/00 310
引用特許:
審査官引用 (9件)
  • 特開平3-070483
  • 特開平1-179375
  • 特開平4-003475
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