特許

J-GLOBAL ID：200903020809874350

シリコーン系ダイボンディング剤、半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 中吉 和己 ,  田澤 里加子 ,  三谷 修 ,  峰 勝利
出願人/特許権者： 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-122640
公開番号（公開出願番号）：特開平9-286971
出願日： 1996年04月19日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 半導体チップ、基板、パッケージ、またはリードフレームと封止樹脂との接着不良を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 アクリル官能性基含有オルガノポリシロキサンの高エネルギー線照射によるフリーラジカル反応、およびアルケニル基含有オルガノポリシロキサンとケイ素原子結合水素原子含有オルガノポリシロキサンとのヒドロシリレーション反応により硬化するシリコーン組成物からなるシリコーン系ダイボンディング剤、このシリコーン系ダイボンディング剤を介して半導体チップを基板やパッケージに載置し、次いで、このダイボンディング剤に高エネルギー線を照射することにより、アクリル官能性基のフリーラジカル反応を生起せしめた後、このダイボンディング剤をヒドロシリレーション反応により硬化させる半導体装置の製造方法、この方法により製造される半導体装置。

請求項（抜粋）：

アクリル官能性基含有オルガノポリシロキサンの高エネルギー線照射によるフリーラジカル反応、およびアルケニル基含有オルガノポリシロキサンとケイ素原子結合水素原子含有オルガノポリシロキサンとのヒドロシリレーション反応により硬化するシリコーン組成物からなるシリコーン系ダイボンディング剤。

IPC (2件)：

C09J183/07 JGH ,  H01L 21/52

FI (2件)：

C09J183/07 JGH ,  H01L 21/52 E