特許

J-GLOBAL ID：200903020811583193

太陽電池の製造方法

発明者： 山岸 長保 ,  上田 孝
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-271377
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120531
出願日： 1992年10月09日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】 表面汚染の少ない高効率の太陽電池の製造方法を提供する。【構成】 太陽電池の製造方法において、p型半導体基板11上にpn接合を形成するn型半導体基板12を形成する工程と、n型半導体基板12上に反射防止膜13を形成する工程と、反射防止膜13をホトリソによりパターニングして開口部を形成する工程と、該開口部に表面電極15を形成する工程とを順次施す。

請求項（抜粋）：

(a)第1導電型の半導体基板上にpn接合が形成される第2導電型の半導体層を形成する工程と、(b)該第2導電型の半導体層上に反射防止膜を形成する工程と、(c)該反射防止膜をホトリソによりパターニングし、開口部を形成する工程と、(d)該開口部に表面電極を形成する工程とを順次施すことを特徴とする太陽電池の製造方法。