特許

J-GLOBAL ID：200903020815360547

エッチング方法及び配線形成方法

発明者： 柴田 清司
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-105725
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321091
出願日： 1994年05月19日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】 簡単な工程にて良好なエッチング形状が得られるエッチング方法と、これを用いて寸法制御性に優れたパターン配線を再現性良く形成する配線形成方法とを提供する。【構成】 シリコン基板3上に導電性膜2,レジストパターン1を積層形成し(a)、レジストパターン1にシリル化剤4を反応させてその表面にシリル化層5を形成し(b)、更にこのレジストパターン1を酸素プラズマ雰囲気にさらして表面にシリコン酸化層6を形成した後(c)、このレジストパターン1をマスクとしてドライエッチングを施して導電性膜2をエッチングする(d)。

請求項（抜粋）：

レジストパターンの表面をシリル化及び酸化してシリコン酸化層を形成した後、このレジストパターンをマスクとして下地層をドライエッチングすることを特徴とするエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3213

FI (3件)：

H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 579 ,  H01L 21/88 D