特許
J-GLOBAL ID：200903020816265327
半導体集積回路装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-118659
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326670
出願日： 1994年05月31日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：
【要約】【目的】 半導体集積回路装置内に形成された多層配線間の配線容量を低減し、該配線間隔をより狭くすることで、高い集積度を保持しつつ、集積回路の高速動作を可能とする。【構成】 微細加工された配線相互間に空隙(4)を生じ得る条件で絶縁膜(3)を配線層の上に堆積させると共に、該配線相互間に低誘電率の空隙を存置させるとした。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成される半導体集積回路を構成する相互配線であって、複数の金属配線と、この金属配線相互間の溝部に位置する低誘電率の空隙と、この空隙及び金属配線の上に堆積させる絶縁膜とを含む半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 21/90 N
, H01L 21/90 J
, H01L 21/90 V
, H01L 23/12 N
